PSMN7R0-100PS,127介绍:
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.6 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 125 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 269 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 9.4 mm
长度: 10.3 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: N-Channel 100 V 6.8 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
宽度: 4.7 mm
商标: Nexperia
下降时间: 49.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45.6 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 103.9 ns
典型接通延迟时间: 34.6 ns
单位重量: 6 g
艾睿(深圳)实业有限公司介绍:
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