HN1B04FU-GR,LF介绍：

制造商: Toshiba

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

晶体管极性: NPN, PNP

配置: Dual

集电极—发射极电压 VCEO: 50 V

集电极—基极电压 VCBO: 60 V, - 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 100 mV

直流电集电极电流: 150 mA

增益带宽产品fT: 150 MHz, 120 MHz

工作温度: + 125 C

系列: HN1B04

直流电流增益 hFE 值: 400  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

封装: Reel  

商标: Toshiba  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120  

Pd-功率耗散: 200 mW  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 7.500 mg

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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