AFT27S010NT1 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

发布时间:2019/5/16 17:17:06

AFT27S010NT1介绍:

制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性: N-Channel

Id-连续漏极电流: 90 mA

Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V

增益: 21.7 dB

输出功率: 1.26 W

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PLD-1.5W

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

工作频率: 100 MHz to 3.6 GHz  

类型: RF Power MOSFET  

商标: NXP / Freescale  

通道数量: 1 Channel  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V  

零件号别名: 935317972515  

单位重量: 280 mg




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