ISL9V3040P3介绍:

描述 IGBT 430V 21A 150W TO220AB

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 8 周

详细描述 IGBT 430V 21A 150W Through Hole TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 EcoSPARK®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 -

电压 - 集射极击穿（值） 430V

电流 - 集电极（Ic）（值） 21A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.6V @ 4V，6A

功率 - 值 150W

开关能量 -

输入类型 逻辑

栅极电荷 17nC

25°C 时 Td（开/关）值 -/4.8μs

测试条件 300V，1 千欧，5V

工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3

供应商器件封装 TO-220AB

基本零件编号 ISL9V3040

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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艾睿（深圳）实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。

于2013年在深圳成立并申请为一般纳税人企业，为客户提供16%的增值税票，开拓终端工厂市场，

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地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室

一个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个n-type MOSFET（以下简称NMOS）的截面图。如前所述，MOSFET的是位于中央的MOSFET电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。