晶体管 GA05JT01-46 FET-MOSFET

发布时间:2018/6/21 14:14:38

GA05JT01-46介绍:

描述 TRANS SJT 100V 9A

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 18 周

详细描述 通孔 100V 9A(Tc) 20W(Tc) TO-46

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 GeneSiC Semiconductor

系列 -

包装 ? 散装 ?

零件状态 在售

FET 类型 -

技术 SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss) 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) -

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 240 毫欧 @ 5A

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) -

Vgs(值) -

FET 功能 -

功率耗散(值) 20W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 225°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-46

封装/外壳 TO-46-3

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根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。


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