IRFB7434PBF介绍:

描述 MOSFET N CH 40V 195A TO220

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 294W（Tc） TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®，StrongIRFET™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.6 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.9V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 324nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 10820pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 294W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET。