存储器 DS1230Y-100+ NVSRAM

发布时间:2018/5/11 11:36:01

DS1230Y-100+介绍:

描述 IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 6 周

详细描述 NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 100ns 28-EDIP

类别 集成电路(IC)

存储器

制造商 Maxim Integrated

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

存储器类型 非易失

存储器格式 NVSRAM

技术 NVSRAM(非易失性 SRAM)

存储容量 256Kb (32K x 8)

写周期时间 - 字,页 100ns

访问时间 100ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 通孔

封装/外壳 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)

供应商器件封装 28-EDIP

基本零件编号 DS1230Y

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只有当外界突然断电或者认为需要存储的时候才会把 数据存储到EEPROM中去,当检测到系统上电后会把EEPROM中的数据拷贝到SRAM中,系统正常运行。


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