零件编号 FQB44N10TMTR-ND

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制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FQB44N10TM

数据列表 FQB44N10, FQI44N10;

标准包装   800

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 QFET®

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC

Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V

Vgs（值） ±25V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF

Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3.75W（Ta），146W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 39 毫欧 @ 21.75A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

文档

PCN 封装 Mult Devices 24/Oct/2017

TO263 31/Aug/2016

Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014

PCN 设计/规格 Description Chg 01/Apr/2016

Logo 17/Aug/2017

深圳一鑫城电子有限公司    

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