GaN 场效应晶体管 BSP299L6327HUSA1 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k咨询了解
发布时间：2025/6/11 12:07:03
制造商: Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管 发货限制： Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 400 mA Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V zui小工作温度: - 55 C zui大工作温度: %2B 150 C Pd-功率耗散: 1.8 W 通道模式: Enhancement 商标: Infineon Technologies 配置: Single 下降时间: 15 ns 湿度敏感性: Yes 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 产品: MOSFET Small Signals 产品类型: GaN FETs 上升时间: 15 ns 系列: BSP299 1000 子类别: Transistors 技术: GaN 典型关闭延迟时间: 55 ns 典型接通延迟时间: 8 ns 零件号别名: BSP299L6327HUSA1 单位重量: 112 mg
产品分类
QQ咨询
IM询价
拨打电话