制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
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RoHS:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 210 mA
Rds On-漏源导通电阻: 24 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 4.5 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Depletion
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFETs
1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 3.5 mm
零件号别名: BSP179 H6327 SP001212770
单位重量: 112 mg