制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.1 V在25 C的连续集电极电流:450 A栅极—射极漏泄电流:400 nAPd-功率耗散:1600 W封装 / 箱体:62 mm工作温度:- 40 C工作温度:+ 150 C封装:Tray商标:Infineon Technologies 安装风格:Chassis Mount CNHTS:8541290000 HTS Code:8541290095 栅极/发射极电压:+/- 20 V MXHTS:85412999 产品类型:IGBT Modules 工厂包装数量:10 子类别:IGBTs TARIC:8541290000 零件号别名:FF300R12KT4HOSA1 SP000370607 单位重量:335 g