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IPW60R041C6数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 77.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 290 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 481 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

高度: 21.1 mm  

长度: 16.13 mm  

系列: CoolMOS C6  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.21 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 7 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 10 ns  

工厂包装数量: 240  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 130 ns  

典型接通延迟时间: 23 ns  

零件号别名: IPW60R041C6FKSA1 IPW6R41C6XK SP000718886  

单位重量: 38 g