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IPW50R140CP数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 23 A

Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 192 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

高度: 21.1 mm  

长度: 16.13 mm  

系列: CoolMOS CE  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.21 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 14 ns  

工厂包装数量: 240  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 80 ns  

典型接通延迟时间: 35 ns  

零件号别名: IPW50R140CPFKSA1 IPW5R14CPXK SP000234989  

单位重量: 38 g