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IRLR8729TRPBF数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 58 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.35 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 10 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 55 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: HEXFET Power MOSFET  

宽度: 6.22 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 91 S  

下降时间: 10 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 47 ns  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 11 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

零件号别名: SP001569082  

单位重量: 4 g