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GT30J101数据表

制造商: Toshiba

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

封装 / 箱体: TO-3PN-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 600 V

栅极/发射极电压: +/- 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

系列: GT30J101

集电极连续电流 Ic: 30 A  

高度: 19 mm  

长度: 15.9 mm  

宽度: 4.8 mm  

商标: Toshiba  

产品类型: IGBT Transistors  

子类别: IGBTs