FQPF8N60CFT公司原装现货/长期供应

发布时间:2019/4/11 19:47:36

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FQPF8N60CFT数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 6.26 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 48 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 16.3 mm  

长度: 10.67 mm  

系列: FQPF8N60CF  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 4.7 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 值: 8.7 S  

下降时间: 64.5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 60.5 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 81 ns  

典型接通延迟时间: 16.5 ns  

单位重量: 2.270 g


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