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CSD16401Q5数据表

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSON-Clip-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 16 V

Qg-栅极电荷: 21 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.1 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1 mm  

长度: 6 mm  

系列: CSD16401Q5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Texas Instruments  

正向跨导 - 值: 168 S  

下降时间: 12.7 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 30 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 20 ns  

典型接通延迟时间: 16.6 ns  

单位重量: 300 mg