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NTJD5121NT1G数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SC-88-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 295 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 mW

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.9 mm  

长度: 2 mm  

系列: NTJD5121N  

晶体管类型: 2 N-Channel  

宽度: 1.25 mm  

商标: ON Semiconductor  

下降时间: 32 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 34 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 34 ns  

典型接通延迟时间: 22 ns  

单位重量: 6 mg