NCV8402ASTT1G数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

封装 / 箱体: SOT-223-3

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 2 A

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

配置: Dual

Pd-功率耗散: 1.7 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: NCV8402A  

晶体管类型: 2 N-Channel  

商标: ON Semiconductor  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 50 us  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85423901  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 120 us  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8542399000  

典型关闭延迟时间: 20 us  

典型接通延迟时间: 25 us  

单位重量: 250 mg

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