制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NTD20N06LT4G

描述 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 4 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） DPAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 32nC @ 5V

Vgs（值） ±15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 990pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.36W（Ta），60W（Tj）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 48 毫欧 @ 10A，5V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63