制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NTGS3443T1G

描述 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 36 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 15nC @ 4.5V

Vgs（值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 565pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散（值） 500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6