供应现货NTMD6P02R2G NTMD6P02 场效应管 MOS场效应

发布时间:2018/4/9 14:11:26


制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NTMD6P02R2G

描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 18 周

详细描述 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.8A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 33 毫欧 @ 6.2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 35nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1700pF @ 16V

功率 - 值 750mW

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装 8-SOIC

基本零件编号 NTMD6P02



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