供应晶体管 - UGBT,MOSFET NGTB50N65S1WG-ND分立半导体产品 NGTB50N65S1WG

发布时间:2017/11/28 18:15:43

Digi-Key 零件编号 NGTB50N65S1WG-ND

制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NGTB50N65S1WG
描述 IGBT TRENCH 650V 140A TO247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 29 周
详细描述 IGBT Trench 650V 140A 300W Through Hole TO-247
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿(值) 650V
电流 - 集电极(Ic)(值) 140A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 140A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.45V @ 15V,50A
功率 - 值 300W
开关能量 1.25mJ(开),530μJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 128nC
25°C 时 Td(开/关)值 75ns/128ns
测试条件 400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 70ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
标准包装 ? 30

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