制造商零件编号
IKW75N65EL5XKSA1
描述 IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 IGBT 650V 80A 536W Through Hole PG-TO247-3


类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop™ 5
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（值） 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.35V @ 15V，75A
功率 - 值 536W
开关能量 1.61mJ（开），3.2mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 436nC
25°C 时 Td（开/关）值 40ns/275ns
测试条件 400V，75A，4 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 114ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3