FDMS7558S介绍：

描述 MOSFET N-CH 25V 32A POWER56

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） 8-PQFN（5x6）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Ta），49A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.25 毫欧 @ 32A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 119nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 7770pF @ 13V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta），89W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-PQFN（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

安富利（深圳）商贸有限公司，的配单。一手货源!价格优势！

所出的物料，原装！放心购买！

本公司为一般纳税人，可开16%增值税票！欢迎垂询！                  

地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201

从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料。