APT5010介绍:
描述 MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 17 周
详细描述 通孔 N 沟道 500V 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 7®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 46A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 100 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 95nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 4360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 520W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-264 [L]
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级。