RJH1CF4RDPQ-80#T2介绍：

描述 IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 IGBT 1200V 40A 156.2W Through Hole TO-247

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 Renesas Electronics America

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 -

电压 - 集射极击穿（值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（值） 40A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.5V @ 15V，20A

功率 - 值 156.2W

开关能量 -

输入类型 标准

25°C 时 Td（开/关）值 -

测试条件 -

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管比电子管体积小很多，需要空间比电子管小很多，电器使用晶体管可以做的很小。晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。