FQP65N06介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 65A TO-220

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 4 周

详细描述 通孔 N 沟道 60V 65A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 65A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 65nC @ 10V

Vgs（值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2410pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 150W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 16 毫欧 @ 32.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。