晶体管 IPP030N10N3 MOSFET - 单

发布时间:2018/6/25 9:33:07

IPP030N10N3介绍:

描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 26 周

详细描述 通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3.5V @ 275μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 206nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 14800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(值) 300W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关。在模拟电路中,晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路;在计算机电源中,主要用于开关电源。


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