IPP030N10N3介绍:
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
详细描述 通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3.5V @ 275μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 206nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 14800pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关。在模拟电路中,晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路;在计算机电源中,主要用于开关电源。