IRFR2307Z介绍：

描述 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 75nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2190pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 110W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 16 毫欧 @ 32A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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为了提高单电子晶体管的工作温度，必须使量子点的尺寸小于10纳米，目前世界各实验室都在想各种办法解决这个问题。有些实验室宣称已制出室温下工作的单电子晶体管，观察到由电子输运形成的台阶型电流——电压曲线，但离实用还有相当的距离。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。