IPP60R099CP介绍：

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS™

包装 ? 管件 ?

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 80nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2800pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 255W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 99 毫欧 @ 18A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、

海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201

比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。