DMN3404L-7介绍；

描述 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 16 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 720mW（Ta） SOT-23-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 3V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 9.2nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 386pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 720mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 28 毫欧 @ 5.8A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。