DMP4025SFGQ-13介绍；

描述 MOSFET P-CH 40V 7.2A POWERDI3333

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 16 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 40V 7.2A（Ta） 810mW（Ta） PowerDI3333-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 汽车级，AEC-Q101

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.2A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 14nC @ 4.5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1643pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 810mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 25 毫欧 @ 3A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerDI3333-8

封装/外壳 8-PowerVDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。