DDR3 MT41J64M16LA-187E:B TR 存储器

发布时间:2018/4/11 10:58:03

MT41J64M16LA-187E:B TR介绍;

描述 IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 96FBGA

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)

详细描述 SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 533MHz 96-FBGA(9x15.5)

类别 集成电路(IC)

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 停產

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR3

存储容量 1Gb (64M x 16)

时钟频率 533MHz

写周期时间 - 字,页 -

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V

工作温度 0°C ~ 95°C(TC)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-FBGA

供应商器件封装 96-FBGA(9x15.5)

基本零件编号 MT41J64M16


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为解决高速的CPU与速度相对较慢的主存的矛盾,还可使用高速缓存。它采用速度很快、价格更高的半导体静态存储器,甚至与微处理器做在一起,存放当前使用最频繁的指令和数据。当CPU从内存中读取指令与数据时,将同时访问高速缓存与主存。如果所需内容在高速缓存中,就能立即获取;如没有,再从主存中读取。高速缓存中的内容是根据实际情况及时更换的。这样,通过增加少量成本即可获得很高的速度。



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