ZVN1409ASTOB介绍；

描述 MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 90V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.4V @ 100μA

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 6.5pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 625mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 250 欧姆 @ 5mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）

封装/外壳 E-Line-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作，长期从事半导体的研究，积累了丰富的经验。他们经过一系列的实验和观察，逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现，在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针尽量靠近它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化，会对另外的电流产生很大的影响，这就是“放大”作用。