可控硅十条黄金规则汇总

规则1：为了导通闸流管(或双向可控硅)，必须有门极电流 ≥IGT，直至负载电流达到 ≥IL。这条件必须满足，并按可能遇到的温度考虑。

规则2：要断开(切换)闸流管(或双向可控硅)，负载电流必须 ＜IH，并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的运行温度下必须满足上述条件。

规则3：设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就有避开 3+ 象限(WT2-，+)。

规则4：为减少杂波吸收，门极连线长度降至。返回线直接连至 MT1(或阴极)。若用硬线，用螺旋双向或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1kΩ 或更小。高频旁路电容和极间串接电阻。另一解决办法，选用 H 系列低灵敏度双向可控硅。

规则5：若 dVD/dt 或 dVCOM/dt 可能引起问题，在 MT1 和MT2 间加入 RC 缓冲电路。

            若高 dICOM/dt 可能引起问题，加入一几 mH 的电感和负载串联。

            另一种解决方法，采用 Hi-Com 双向可控硅。

规则6：假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：

            负载上串联电感量为几 μH 的不饱和电感，以限制 dIT/dt；

            用 MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。

规则7：选用好的门极触发电路，避开 3+ 象限工况，可以限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力。

 

规则8：若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，负载上串联一个几 μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。

规则9：器件固定到散热器，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把柳钉芯轴放在器件接口片一侧。

规则10：为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a 足够低，维持 Tj 不高于 Tjmax，其值相应于可能的环境温度。

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