制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 750 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 216 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 5
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 22 ns
正向跨导 - 小值: 160 S
高度: 2.4 mm
长度: 10.58 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
包装数量：2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power Transistor
典型关闭延迟时间: 76 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
宽度: 10.1 mm
零件号别名: IPT007N06N SP001100158
单位重量: 1.100 g