制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.9 mOhms, 7.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 28 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 54 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-T2
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 10 ns, 10 ns
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns, 3 ns
包装数量：5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns, 15 ns
典型接通延迟时间: 12 ns, 12 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000705570 IPG2N4S49XT IPG20N04S409ATMA1
单位重量: 96.880 mg