制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 8.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI4
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
产品类型: MOSFET
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
零件号别名: SI4943BDY-E3
单位重量: 750 mg