制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
系列: FQD12N20L
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 120 ns
正向跨导 - 小值: 11.6 S
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 190 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: FQD12N20LTM_NL
单位重量: 330 mg