制造商: Qorvo

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管类型: HEMT

技术: GaN SiC

增益: 18 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: -

Vgs-栅源极击穿电压 : -

Id-连续漏极电流: 170 mA

输出功率: 2.4 W

漏极/栅极电压: -

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

Pd-功率耗散: 2.9 W

安装风格: SMD/SMT

封装: Gel Pack

应用: Defense and Aerospace, Broadband Wireless  

配置: Single  

工作频率: DC to 25 GHz  

系列: TGF  

商标: Qorvo  

正向跨导 - 值: -  

NF—噪声系数: 1.2 dB  

产品类型: RF JFET Transistors  

工厂包装数量: 50  

子类别: Transistors  

零件号别名: 1113824