制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性: Dual N-Channel

Id-连续漏极电流: 100 mA

Vds-漏源极击穿电压: 133 V

增益: 23 dB

输出功率: 1500 W

工作温度: - 40 C

工作温度: + 105 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: OM-1230-4

工作频率: 1.8 MHz to 500 MHz  

类型: RF Power MOSFET  

商标: NXP / Freescale  

正向跨导 - 值: 33.5 S  

通道数量: 2 Channel  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 1  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V  

单位重量: 1 kg