晶体管 MOSFET IXTX90N25L2

发布时间:2018/5/4 12:35:20

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: PLUS-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 33 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 640 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 960 W

通道模式: Enhancement

商标名: LinearL2

封装: Tube

高度: 21.34 mm  

长度: 16.13 mm  

系列: IXTX90N25  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: LinearL2 Power MOSFET  

宽度: 5.21 mm  

商标: IXYS  

正向跨导 - 值: 35 S  

下降时间: 160 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 175 ns  

工厂包装数量: 30  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 40 ns  

典型接通延迟时间: 50 ns  

单位重量: 1.600 g

 

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