制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管极性: N-Channel

Id-连续漏极电流: 28 A

Vds-漏源极击穿电压: 65 V

Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms

技术: Si

增益: 18.5 dB

输出功率: 33 W

工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-539B-3

封装: Tube

配置: Single  

工作频率: 2 GHz to 2.2 GHz  

类型: RF Power MOSFET  

商标: NXP Semiconductors  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 60  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: 13 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V