制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 20 V

Id-连续漏极电流: - 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

Qg-栅极电荷: 225 nC

工作温度: - 50 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 57 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.04 mm  

长度: 3.3 mm  

系列: SI7  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 3.3 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 值: 90 S  

下降时间: 35 ns  

上升时间: 45 ns  

工厂包装数量: 3000  

典型关闭延迟时间: 100 ns  

典型接通延迟时间: 45 ns  

零件号别名: SI7655DN-GE3  

单位重量: 120 mg