制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-251-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 7.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 21 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

高度: 6.22 mm  

长度: 6.73 mm  

系列: CoolMOS C3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 2.38 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 7 ns  

Pd-功率耗散: 83 W  

上升时间: 3.5 ns  

工厂包装数量: 1500  

典型关闭延迟时间: 60 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns  

零件号别名: SP000101635 SPU07N60C3BKMA1 SPU7N6C3XK  

单位重量: 4 g