产品种类:  IGBT 晶体管   
制造商:  IXYS   
RoHS:   详细信息  
封装 / 箱体:  TO-268-3   
安装风格:  SMD/SMT   
配置:  Single   
集电极—发射极电压 VCEO:  1.7 kV   
集电极—射极饱和电压:  2.84 V   
栅极/发射极电压:  +/- 20 V   
在25 C的连续集电极电流:  12 A   
Pd-功率耗散:  75 W   
工作温度:  - 55 C   
工作温度:  + 150 C   
系列:  IXBT6N170   
封装:  Tube   
商标:  IXYS  
集电极连续电流:  12 A  
集电极连续电流 Ic:  36 A  
栅极—射极漏泄电流:  100 nA  
高度:  5.1 mm  
长度:  16.05 mm  
工作温度范围:  - 55 C to + 150 C  
工厂包装数量:  30  
技术:  Si  
商标名:  BIMOSFET  
宽度:  14 mm  
单位重量:  4.500 g