制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-251-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 600 V 
Id-连续漏极电流: 7.3 A 
Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 21 nC 
工作温度: - 55 C 
工作温度: + 150 C 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: CoolMOS 
封装: Tube 
高度: 6.22 mm  
长度: 6.73 mm  
系列: CoolMOS C3  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 2.38 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 7 ns  
Pd-功率耗散: 83 W  
上升时间: 3.5 ns  
工厂包装数量: 1500  
典型关闭延迟时间: 60 ns  
典型接通延迟时间: 6 ns  
零件号别名: SP000101635 SPU07N60C3BKMA1 SPU7N6C3XK  
单位重量: 4 g