产品种类:  MOSFET   
制造商:  ON Semiconductor   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  Through Hole   
封装 / 箱体:  TO-3PN-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  900 V   
Id-连续漏极电流:  9 A   
Rds On-漏源导通电阻:  1.4 Ohms   
Vgs - 栅极-源极电压:  30 V   
工作温度:  - 55 C   
工作温度:  + 150 C   
配置:  Single   
通道模式:  Enhancement   
封装:  Tube   
商标:  ON Semiconductor / Fairchild  
下降时间:  75 ns  
正向跨导 - 值:  9.2 S  
高度:  20.1 mm  
长度:  16.2 mm  
Pd-功率耗散:  280 W  
上升时间:  120 ns  
工厂包装数量:  30  
晶体管类型:  1 N-Channel  
类型:  MOSFET  
典型关闭延迟时间:  100 ns  
典型接通延迟时间:  50 ns  
宽度:  5 mm  
零件号别名:  FQA9N90C_NL  
单位重量:  5.600 mg