功率双极晶体管和IGBT

STMicroelectronics功率双极晶体管和IGBT是标准功率双极晶体管的大型产品组合。这些晶体管采用平面基岛扩散集电极和双金属工艺技术，具有高电流增益特性。

包括NPN和PNP达林顿晶体管以及双极结型晶体管(BJT)，具有高hFE和低VCE(sat)以及VCES，电压和电流范围分别为15至1500V与1.5至25A。该器件采用小尺寸、薄型的无引线SMD塑料封装，散热性能。因此非常适合用于通用、工业和电机控制应用。

还可提供一系列采用平面（穿通）技术制造的标准IGBT。是 al 这些IGBT具有负VCE(sat) 系数，并可在温度不断升高的情况下实现智能静态和动态平衡。这些产品设计用于通用电机控制 应用， 提供各种封装和多种合装二极管选项。

功率MOSFET

STMicroelectronics功率MOSFET包括标准MOSFET的大型产品组合，击穿电压高达1000V，RDS(on) 范围为25mΩ到8.5Ω。这些标准MOSFET有助于简化设计并提高应用效率。

应用包括SMPS、监控器和电视适配器、辅助 电源、电机控制、电池充电器、UPS、计量、LED驱动器和HF镇流器。由于具有出色的耐用性，因此即使在遭受大电压瞬变的情况下性能也极为可靠。该产品系列采用各种通孔和SMD封装。

二极管和整流器

STMicroelectronics二极管和整流器包括各种低电压降、低漏电流肖特基二极管，具有与其尺寸相配的大电流处理能力，适用于需要开关电源的应用。SMA Flat、SMB Flat、PowerFlat、SOD123和SOD123Flat器件为1至8A、30至150V开关腾出了空间，从而为这些应用节省预算。

提供包括有用的热阻抗值和雪崩脉冲曲线的数据手册，可供工程师调整设计，从而确保功能强大的成品。

可控硅整流器和三端双向可控硅

STMicroelectronics可控硅整流器和三端双向可控硅产品组合 是 对150°C结温进行了改进，适用于固态开关应用。这些器件具有25°C的裕度增益，可为晶闸管提供更多灌电流。散热器和控制模块的尺寸更小，也可以产生立竿见影的效果。

外壳可以使用较少的空气冷却或采用更小尺寸。该系列中的全新SMD型号（D2PAK、DPAK、SOT-223）进一步精简了尺寸。得益于技术改进，STMicroelectronics可在150°C（而非先前的125°C）的全温下指定静态和动态参数。

数据手册参数曲线中规定了满负载下的有用额定值，可用于紧凑尺寸设计。800V 150°C器件的关断能力和抗干扰能力得到了明确的体现，并且可用于亲身实践设计计算的入门。